GAL22V10B
GAL22V10B
Alto rendimiento E2CMOS PLD
El GAL22V10, con un tiempo de retardo de propagación máximo de 4 ns, combina un proceso CMOS de alto rendimiento con tecnología de compuerta flotante borrable eléctricamente (E2) para proporcionar el rendimiento más alto disponible de cualquier dispositivo 22V10 en el mercado. Los circuitos CMOS permiten que el GAL22V10 consuma mucha menos energía en comparación con los dispositivos bipolares 22V10.
La tecnología E2 ofrece tiempos de borrado de alta velocidad (<100 ms), lo que brinda la capacidad de reprogramar o reconfigurar el dispositivo de manera rápida y eficiente.
Alto rendimiento E2CMOS PLD
El GAL22V10, con un tiempo de retardo de propagación máximo de 4 ns, combina un proceso CMOS de alto rendimiento con tecnología de compuerta flotante borrable eléctricamente (E2) para proporcionar el rendimiento más alto disponible de cualquier dispositivo 22V10 en el mercado. Los circuitos CMOS permiten que el GAL22V10 consuma mucha menos energía en comparación con los dispositivos bipolares 22V10.
La tecnología E2 ofrece tiempos de borrado de alta velocidad (<100 ms), lo que brinda la capacidad de reprogramar o reconfigurar el dispositivo de manera rápida y eficiente.
Marca: OTRO
Modelo: GAL22V10B
Categoria: Circuitos Integrados
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